Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 объемом 4 Гбит

Главная / Новости / Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 объемом 4 Гбит

Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 объемом 4 Гбит

Компания Samsung объявила о старте массового производства новейших 4-гигабитных чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу. Выпуск DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флеш-памяти. Чтобы справиться с этой задачей, Samsung использует новейшие технологии двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения. Это не только позволило компании выпускать чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, используя существующую иммерсионную ArF-литографию (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета), но и сделает возможным производство следующего поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм в будущем. Кроме того, Samsung добилась беспрецедентной однородности нанесения сверхтонких диэлектрических пленок конденсаторов, что дополнительно улучшило эффективность памяти.

Одновременно Samsung повысила эффективность производства: для новых чипов она на 30% выше, чем для DDR3 по 25-нм техпроцессу, и вдвое больше по сравнению с DDR3 по 30-нм техпроцессу. Показатели энергоэффективности чипов на 25% опережают характеристики мобильной памяти, изготовленной по 25-нм техпроцессу.

Согласно исследованиям компании Gartner, мировой рынок мобильной памяти увеличится с 35,6 миллиардов долларов в 2013 году до 37,9 миллиардов долларов в 2014 году.


Trade59

Назад

Отзывы о нас
Читайте отзывы покупателей и оценивайте качество магазина на Яндекс.Маркете

На данном сайте используются cookie-файлы. Используя данный сайт, вы даете свое согласие на использование нами cookie-файлов. Подробнее.